Radio Zamer.ru

You are here: Главная / Новости электроники / Выпуск первого кристалла NAND-памяти емкостью 16Гб

Выпуск первого кристалла NAND-памяти емкостью 16Гб

Intel и Micron Technology - IM Flash Technologies (IMFT) анонсировали успешную разработку кристалла NAND-памяти, имеющего емкость 16 Гб. Данная разработка реализуемая на основе 20-нм технологии, имеет плотность записи информации в два раза превышающую актуальные на сегодняшний день продукты, именно такое заявление сделали разработчики. Так же было сказано о том что соединив восемь кристаллов, становится возможным изготовление флэш-памяти емкостью до 128 Гб. При этом корпус чипа, по своим размерам, будет сопоставим с размером ногтя.

Появление такого кристалла это еще один качественный шаг в области развития флэш-памяти, для этого инженерам пришлось разрабатывать и осваивать более сложную технологию масштабирования ячеек, с применением ультрасовременной планарной структуры.  Как следствие становится очевидным, что подобная структура предъявляет более высокие требования к токам утечки. Снижение показателей добились за счет применения транзисторов с диэлектриками, имеющих высокую диэлектрическую проницаемость и металлические затворы, по технологии HI-K Metal Gate. Именно это конструктивное решение позволило обеспечить надежность и быстродействие,  соответствующее продуктам актуального на данный момент поколения.Кристалл NAND-памяти емкостью 16Гб

Помимо этого, разработанный модуль соответствует спецификации ONFI 3.0 и предполагает быстродействие 333 мегатрансфер в секунду, другими словами модуль будет обеспечивать надежное выполнение около 1.000.000 операций ввода/вывода за одну секунду.

Спектр применения упомянутой разработки достаточно широк, от устройств потребительского характера (различные виды современных гаджетов), до промышленного оборудования и систем хранения информации. Поставки первых образцов уже запланированы на январь текущего года, а в конце первого полугодия 2013г старт серийного производства.

Так же стало известно, что IMFT собирается максимально полно отработать производство 8 Гигабайтных кристаллов, производимых по той же технологии, серийное производство которых было начато в декабре.  Представители компании рассчитывают на достаточный объем производства 8 Гб кристаллов в этом месяце, для того что бы начать выпуск 16 Гб разработки.

Совместное предприятие IMFT создано вначале 2006 года, и имеет в своем распоряжении пару мощных заводов, в Сингапуре и США. Безусловна IMFT это лидер в области флэш-памяти, в вопросах технологических норм.

Copyright © Радиоизмерения 2017