Radio Zamer.ru

You are here: Главная / Транзисторы

Проверка транзисторов

Радиолюбителям нередко приходится отбирать из имеющейся партии однотипных транзисторов образцы с наибольшим коэффициентом усиления по постоянному току (В0) в схеме с общим эмиттером или подбирать пары транзисторов с приблизительно одинаковым коэффициентом усиления.

Фототранзистором называют полупроводниковый прибор, преобразующий световые сигналы в электрические и одновременно усиливающий фототок.
Для получения полного представления о фототранзисторе необходимо снять его частотную и вольтамперные характеристики, измерить параметры и испытать на «ползучесть».
Так как при контроле фототранзистора его включают со свободной базой (смотрите рисунок), т.е. как двухполюсник, то снятие характеристик и определение основных параметров выполняют по приведенной в статье о фотодиодах, в схеме для снятия фотоэлектрических характеристик фотодиодов.

Проверка отдельно взятого транзистора на отсутствие обрывов выводов его электродов не представляет труда, для этого достаточно измерить прямые (rпр) и обратные (rобр) сопротивления эмиттерного и коллекторного переходов. Если rобр превышает rпр в тысячи и десятки тысяч раз, то выводы электродов считают целыми. Если же результаты измерения прямого и обратного сопротивлении совпадают (rпр=rобр=) то наличие обрыва одного из выводов не вызывает сомнений.

Так как нарушение контакта в цепи любого из электродов транзистора вызывает исчезновение тока в этой цепи, а следовательно и изменения напряжений на электродах, то обнаружить этот вид неисправности транзистора можно, не выпаивая полупроводниковый прибор из схемы.

Рассмотрим процесс проверки транзистора в схеме на примере работы первой ступени усилителя промежуточной частоты транзисторного приемника « Космос ». Схема этой ступени и измеренные относительно корпуса напряжения на электродах исправного транзистора Т2 приведены на рисунке.

Проверить отдельный, т. е. не связанный со схемой, транзистор на отсутствие коротких замыканий проще всего путем измерения сопротивлений между его электродами. Если омметр, присоединенный к базе-эмиттеру, затем к базе-коллектору и, наконец, к эмиттеру-коллектору, не показывает сопротивления, равного нулю, то транзистор считают исправным.

 

Проверить транзистор на короткое замыкание

В некоторых устройствах (например, в транзисторных усилителях) проверка полупроводниковых триодов на отсутствие коротких замыканий между электродами может быть произведена без выпаивания транзистора из схемы, путем измерения напряжений на резисторах, входящих в цепи испытуемого триода.

В предыдущем посте были описаны методы так называемых монтажных испытаний полупроводниковых триодов, т.е. испытаний, проводимых перед установкой транзисторов в устройства. Однако при ремонте и переделке аппаратуры радиолюбителям приходится иметь дело не только с теми транзисторами, которые подготавливаются для монтажа, но и с триодами, уже вмонтированными в устройства и проработавшими в них некоторое время, причем во избежание повреждений проверяемых транзисторов и в целях экономии времени контроль полупроводниковых триодов желательно осуществлять без отпайки их от других элементов схемы.

Любой из омметров, используемых радиолюбителя ми, можно представить в виде источника э. д. с. Е с внутренним сопротивлением Rвн, рис. а. Если присоединить к такому источнику один из p-n переходов транзистора, например, эмиттерный, то через переход потечет ток I, равный приблизительно формула.

Эмиттерный переход

Для правильного включения полупроводникового триода необходимо знать расположение его выводов. Если эти данные отсутствуют, то их можно получить путем измерения сопротивлений между выводами электродов. Выполняют это для германиевых транзисторов следующим образом. Подготавливают омметр для измерения сопротивлений на шкале «ΩХ100» и присоединяют шнуры прибора поочередно к каждой паре выводов электродов транзистора.


Транзистор может иметь p-n-p или n-p-n структуру с двумя электронно-дырочными переходами, поэтому схематически его можно изобразить в виде комбинации двух полупроводниковых диодов (смотрите рисунок ниже). Так как каждый из диодов пропускает ток при условии приложения к нему напряжения, обращенного плюсом к аноду и минусом к катоду, то исходя из рисунка нетрудно прийти к выводу, что в триодах структуры p-n-p сопротивления эмиттерного и коллекторного переходов малы. если приложенное к ним напряжение обращено к базе минусом, а в триодах структуры n-p-n, наоборот, сопротивления переходов малы, если приложенное напряжение обращено к базе плюсом.

 

Структура транзистора

Наиболее распространенными полупроводниками, используемыми при изготовлении транзисторов, являются германий и кремний. Изготовленные на их основе транзисторы обладают определенными свойствами. К наиболее существенным отличиям германиевых полупроводниковых триодов от кремниевых относится способность последних работать при значительно более высоких температурах (до -120С) по сравнению с максимальной температурой (+70С), выдерживаемой германиевыми транзисторами.

Copyright © Радиоизмерения 2017