Radio Zamer.ru

You are here: Главная / Транзисторы / Монтажные испытания транзисторов

Монтажные испытания транзисторов

Любой из омметров, используемых радиолюбителя ми, можно представить в виде источника э. д. с. Е с внутренним сопротивлением Rвн, рис. а. Если присоединить к такому источнику один из p-n переходов транзистора, например, эмиттерный, то через переход потечет ток I, равный приблизительно формула.

Эмиттерный переход

Очевидно, при малом значении внутреннего сопротивления омметра ток 1 может превысить максимальный прямой ток через переход и повредить испытуемый транзистор. Если же присоединить к омметру эмиттерный переход так, как показано на рис.  б, то испытуемый транзистор (например, типа П401) можно повредить напряжением

 

формула

где Rобр.эб - обратное сопротивление перехода эмитер-база. Действительно, при Rобр.эб >> Rвн, напряжение U равное приблизительно Е, может превысить максимальное обратное напряжение на эмиттерном переходе.

Из изложенного следует: прежде чем проверять транзистор омметром необходимо выяснить, чему равны э. д. с. Е и внутреннее сопротивление Rвн омметра и сравнить ток I и напряжение U с предельными для данного типа транзистора значениями прямого тока и обратного напряжения. Наименьшим и наибольшим значениями внутреннего сопротивления омметр обладает соответственно на шкалах «ΩХ1» и «ΩХ1000». Поэтому наибольший ток протекает через омметр, а следовательно и через измеряемое сопротивление Rx, при присоединении последнего к гнездам «Общ» и «ΩХ1», а наибольшее напряжение возникает на сопротивлении Rх, при подключении его к гнездам «Общ» и «ΩХ1000».

Сказанное позволяет сделать следующий вывод: в тех случаях, когда измерение сопротивлений производится на шкалах «ΩХ10» и «ΩХ100», омметр не угрожает целости p-n переходов транзисторов (кроме транзисторов ГТ313Б).Наиболее простой и широко распространенный способ проверки исправности полупроводникового триода заключается в измерениях прямых и обратных сопротивлений его эмиттерного и коллекторного переходов. Схемы, поясняющие процесс испытания триодов структур p-n-p и n-p-n, приведены на рис. 1 и 2.

Испытание триодов структур p-n-p и n-p-n

Триоды малой мощности (к ним относятся триоды типов, П9 -:- ПЗО, П42, П101 -:- П106, П401 -:- П403, П414 -:- П416, П420 -:- П423, 1Т308, 2Т301, П504, П505 и некоторые другие) считают исправными, если обратные сопротивления их переходов превышают прямые сопротивления в тысячи и десятки тысяч раз, а триоды средней мощности (типов П601, П602, П605, П609, 1Т403) считают исправными, если обратные сопротивления их переходов превышают прямые сопротивления в сотни и тысячи раз. Если же эти соотношения не сохраняются или сопротивление какого-нибудь p-n перехода равно нулю или бесконечности, то транзистор бракуют (выбрасывать вышедшие из строя транзисторы не следует. Как показывает опыт, во многих поврежденных полупроводниковых триодах один из переходов эмиттерный или коллекторный исправен, такие транзисторы могут быть с успехом использованы в схемах детектирования, в выпрямительных цепях АРУ, в устройствах для защиты измерительных приборов от перегрузок и т. п.).

В большинстве случаев проверка транзисторов описанным способом обеспечивает отсев негодных экземпляров. Однако иногда бывает так, что транзистор выдерживает проверку по частям, т. е. показывает нормальные значения сопротивлений переходов, а в схеме какого-нибудь устройства работает не совсем удовлетворительно. Чтобы исключить такие промахи в отборе доброкачественных триодов, рекомендуется в наиболее ответственных случаях либо измерять коэффициент усиления по току (В), либо подвергать транзисторы дополнительной проверке, а именно измерять сопротивления обоих переходов, т. е. сопротивление между эмиттером и коллектором, выполняя это измерение в два приема.

Дополнительная проверка транзистора

Сначала при непосредственном соединении базы с эмиттером (рис. 1.1), а затем при непосредственном соединении базы с коллектором (рис. 2.2). Если транзистор исправен, то в первом случае омметр показывает большое сопротивление (порядка нескольких десятков Килоом), а во втором случае — малое (порядка нескольких десятков Ом). В тех случаях, когда целью проверки является отбор лучших образцов триодов из данной партии, процесс испытания состоит в измерении обратного тока коллектора и определении коэффициента усиления В, (изображения ниже).

Измерение обратного тока коллектора

Коэффициент усиления


Коэффициент усиления по току транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, находят по формуле:

формула

где 

R - сопротивление резистора в Килоомах, 

U - напряжение в v источника питания (например, батареи для карманного фонаря), 

Ik - ток коллектора в мА 

Величины R и U обычно выбирают в пределах R=5-90 Ком и U= l,5-9 в.

Для облегчения вычисления коэффициента В сопротивление резистора R и напряжение источника питания U подбирают такими, чтобы отношение отношение было равно целому числу, кратному десяти, например,10, 20, 30 и т. д.

При выборе величин R, Rотр и U руководствуются следующим: ток формула где Впр — предполагаемое максимальное значение В, не должен превышать допустимый для данного типа транзистора максимальный ток коллектора, а сопротивление резистора Rотр, ограничивающего ток через миллиамперметр в случае соединения коллектора с эмиттером, должно быть приблизительно равно формула, где U- напряжение источника питания в вольтах, I0 — ток полного отклонения миллиамперметра в амперах.

И, наконец, несколько слов о таком дефекте транзистора, как «плавание».

«Плавание» полупроводникового триода определяют наблюдением за стрелкой омметра, присоединенного к эмиттеру и коллектору проверяемого транзистора. Если стрелка не устанавливается против какой-нибудь отметки шкалы, а меняет свое положение, то триод считают «плывущим».


Copyright © Радиоизмерения 2017